Нужна помощь в написании работы?

В 1984 году корпорация Toshiba разработала принципиально новый формат носителей информации, на следующий год новинка поступила в производство. Микросхемы емкостью 32 Кб японские разработчики назвали Flash-памятью. Спустя еще 3 года, в 1988, компания Intel разработала свой вариант flash-памяти.

Принципиальное отличие нового стандарта от предшествующих заключалось в его промежуточном положении. Ранее существовало два формата запоминающих устройств: Оперативное Запоминающее Устройство (ОЗУ) и Постоянное Запоминающее Устройство (ПЗУ). Различие форматов в том, что ОЗУ имеет возможности быстрой перезаписи, но хранит информацию только пока есть источник питания, ПЗУ, наоборот, хранит информацию постоянно, независимо от подачи электричества, но исключена возможность перезаписи. Flash-память объединила достоинства существовавших форматов: она энергонезависима и имеет возможность перезаписи.

Согласно основной версии, термином Flash компания Toshiba характеризовала скорость записи, стирания информации – «In a flash» – «в мгновение ока».

Принцип работы

Карта памяти является разновидностью чипа EEPROM. Она представляет собой сеть столбцов и колонок с ячейками, в области пересечений которых находятся 2 транзистора.

Эти 2 транзистора отделены друг от друга тонким оксидным слоем. По сути, Флэш-карта представляет собой транзистор с двумя изолированными затворами: управляющим (control) и плавающим (floating). Важной особенностью последнего является способность удерживать электроны, то есть заряд. Некоторые из электронов, благодаря наличию большей энергии, преодолевают слой изолятора и попадают на плавающий затвор. На нем они могут храниться в течение нескольких лет. Определенный диапазон количества электронов (заряда) на плавающем затворе соответствует логической единице, а все, что больше его, — нулю. Чтобы изменить заряд с единицы на ноль, используют процесс туннелирования по Фаулеру-Нордхайму. Для стирания информации на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение (обычно 10-13 вольт), и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток.

Получить выполненную работу или консультацию специалиста по вашему учебному проекту
Узнать стоимость
Поделись с друзьями