Существует много разнообразных схем мостов, предназначенных для измерения емкости и индуктивности.
Схема для измерения емкости СХ представлена на рисунке 3.4.4.
|
Рис.3.4.4 |
Условие равновесия моста можно записать в следующем виде:
,
где RC – сопротивление, эквивалентное потерям в конденсаторе.
Разделяя действительные и мнимые части, имеем
На практике качество конденсаторов характеризуется не величиной активного сопротивления RС, а тангенсом угла потерь
.
Отсюда видно, что для равновесия моста достаточно изменять активные сопротивления, имея емкость С3 постоянной. Обычно для балансировки используется переменный резистор R4, градуируемый в значениях tgd. Изменением сопротивления R2 достигается расширение пределов измерения СХ.
Данная схема соответствует малым потерям в конденсаторе (малым значениям tgd).
Аналогично можно изобразить схему моста для параллельной схемы замещения реального конденсатора, соответствующей большим потерям в конденсаторе.
Схема рисунка 3.4.4, равно как и схема с параллельной схемой замещения реального конденсатора, при измерении СХ оказывается частотно-независимой. Это является важным достоинством мостов типа МЕП и позволяет применять их для измерения СХ на рабочей частоте.
Схема для измерения индуктивности при QLX < 30 представлена на рис3.4.5. В качестве образцовой меры по-прежнему применяется конденсатор. В
|
Рис.3.4.5 |
данном случае используется параллельная схема замещения образцового конденсатора. Условием баланса будет
где RL – активное сопротивление катушки.
В итоге получим
Добротность катушки будет
.
В данном случае балансировка моста достигается с помощью двух переменных резисторов: R3, отградуированного в значениях LX, и R4, отградуированного в значениях QL. Расширение пределов измерения LX осуществляется с помощью измерения сопротивления R2.
При QX > 30 мост строится по последовательной схеме замещения образцового конденсатора.
Как и мост типа МЕП, данный мост частотно независим при измерении
Поможем написать любую работу на аналогичную тему