Квантовая электроника - область электроники, охватывающая изучение и разработку методов и средств усиления и генерации электромагнитных колебаний на основе эффекта вынужденного излучения атомов, молекул и твердых тел.
Часто под термином "Квантовая электроника" понимают совокупность квантовых электронных приборов и устройств - молекулярных генераторов и квантовых усилителей, оптических квантовых генераторов (лазеров) и др., - в которых используется вынужденное излучение.
К квантовой электронике относят также вопросы нелинейного взаимодействия мощного лазерного излучения с веществом и применение такого взаимодействия в устройствах преобразования частоты лазерного излучения.
Наиболее крупным прикладным разделом квантовой электроники является лазерная техника, связанная с созданием лазеров различных типов, исследованием свойств лазерного изучения и его использованием для решения различных практических задач.
Квантовая электроника сформировалась и развивалась как самостоятельная область науки и техники во вотрой половине ХХ века.
История квантовой электроники неразрывно связана с радиоспектроскопией, исследующей свойства вещества с помощью избирательного (резонансного) поглощения радиоволн СВЧ диапазона. Именно в радиоспектроскопии зародилась идея о том, что путём создания инверсии населённостей энергетических уровней в среде можно добиться усиления радиоволн. Если же какая-либо система усиливает радиоизлучение, то при соответствующей обратной связи она может и генерировать это излучение.
Первый прибор квантовой электроники - молекулярный генератор на аммиаке, созданный в 1955 одновременно в СССР (Басов и Прохоров) и США (Ч. Таунс и др.), по существу, является радиоспектроскопом, который, однако, устроен так, что молекулы аммиака не поглощают, а излучают радиоволны. В конце 50-х гг. В СССР и США малошумящие парамагнитные квантовые усилители, в которых активной средой служили парамагнитные кристаллы, находящиеся при температуре жидкого гелия (4,2 К) и возбуждаемые вспомогательным источником СВЧ излучения. В эти же годы широко исследовалась возможность создания приборов квантовой электроники оптического диапазона длин волн.
В 1960 первый такой прибор - рубиновый лазер - создан в США. Кристалл рубина возбуждается импульсной ксеноновой лампой. В последующие годы лазеры на диэлектрических кристаллах, возбуждаемые внешним источником оптической накачки, получили широкое распространение и составляют одну из важнейших разновидностей лазеров. Усиление в таких лазерах осуществляется за счет вынужденных переходах в электронных оболочках ионов-активаторов (хром в кристаллах рубина, неодим в стекле и алюминиевом гранате).
В 1960 создан (США) первый газовый лазер на смеси атомов неона и гелия, возбуждаемых электрическим разрядом в газе низкого давления. Маломощные гелий-неоновые и мощные лазеры на CO2 стали наиболее распространёнными представителями семейства газовых лазеров, охватывающих широкий спектральный диапазон - от глубокого ультра-фиолетового (0,12 мкм) до инфракрасного, смыкающегося с субмиллиметровым (1 нм).
В 1959 Басов с сотрудниками теоретически обосновали возможность создания полупроводникового лазера; первые такие лазеры созданы в 1962-63гг. (СССР и США).
Поможем написать любую работу на аналогичную тему