Нужна помощь в написании работы?

Интегральные приемники – это тепловые преобразователи, принцип действия которых основан на преобразовании энергии излучения в температуру. К селективным относятся фотоэлектрические преобразователи (ФП),  в которых используются явления внешнего или внутреннего фотоэффекта.

А) Фотоэлементы с внешним фотоэффектом – это вакуумные и газонаполненные фотоэлементы и фотоумножители. Принцип действия их заключается в том, что кванты света достигая поверхности фотокатода, выбивают электроны, которые увлекаются внешним электрическим полем и создают фототок.

         Вакуумные фотоэлементы состоят из вакуумированной стеклянной колбы, содержащей два электрокатоды: катод и анод (рис. 20).

  

                           Рис.20(а)                                                          Рис. 20(б)

Электроток может покинуть катод, если энергия фотона больше работы выхода, т.е. hn>А. А  - работа выхода, которая зависит от химической природы и состояния поверхности. Поэтому спектральные характеристики вакуумных газонаполненных фотоэлементов целиком определяются свойствами фотокатода. ВАХ вакуумного фотоэлемента показана на рис. 20(в).

         Физический механизм работы вакуумного фотоэлемента описывается уравнением Эйнштейна:

hn= А+(mu2/2),

где А  - работа выхода, mu2/2- кинетическая энергия свободного электрона. Частота n= А/h – называется «красная граница фотоэффекта». При меньшей частоте n энергия квантов меньше работы выхода и эффект невозможен.

         Преобразование светового потока в ток практически безинерционно, т.к. определяется временем фотоэмиссии (около 10-12 с), и временем пролета электрона (около 10-9 с). При измерении слабых световых потоков необходимо учитывать темновой ток. Это ток, вызванный термоэлектронной эмиссией с  катода  (около 10-12А) и  ток утечки между электродами  (около 10-10А). При слабых световых потоках эти токи могут быть сравнимы и погрешность достигнет 50%.

         Газонаполненные фотоэлементы позволяют получать токи в несколько раз больше вакуумных. При заполнении фотоэлемента инертными газами фотоэлектроны, движущиеся к аноду, ионизируют газ и число носителей зарядов растет, растет и ток. Коэффициент газового усиления может достигнуть 6-7. Соответственно этому, чувствительность газовых фотоэлементов составляет Sj=100-250мкА/м., а инерционность выше вакуумных на несколько порядков.

         Фотоэлектродный умножитель  (ФЭУ) – это вакуумный фотоэлемент, снабженный системой электродов для усиления тока фотоэмиссии (рис.21).

                                    

                                                           Рис.21

       

Коэффициент вторичной эмиссии может составлять 2,5-4. Общий коэффициент умножения в многокаскадных умножителях достигает сотен тысяч и выходной ток может достигать 1mА. Процесс умножения практически безинерционен.  Для питания фотоумножителей требуется высокое напряжение (около 1000В), нагрузка должна быть высокоомной (сотни килом).

         В) Внутренний фотоэффект реализован в фотоэлементе – фоторезисторе.

Внимание!
Если вам нужна помощь в написании работы, то рекомендуем обратиться к профессионалам. Более 70 000 авторов готовы помочь вам прямо сейчас. Бесплатные корректировки и доработки. Узнайте стоимость своей работы.

         Фоторезистор представляет собой однородную полупроводниковую пластину с контактами, которая при освещении уменьшает свое сопротивление в результате внутреннего фотоэффекта, т.е. перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости. Это возможно если энергия квантов больше ширины запрещенной зоны. Т.к. ширина у ряда химических элементов различна, то и спектральная характеристика фоторезисторов различна и лежит в пределах 0,2-3 мкм по длине волны. По чувствительности фоторезисторы характеризуются кратностью изменения сопротивления под действием  света.

к=Rтем/ R200лк»105

         Вольтамперные характеристики линейны в пределах допустимой мощности рассеивания. Световая характеристика линейна только до 200 люкс. Постоянная времени составляет 10-2-10-5с.

         Недостатком фоторезисторов является то, что темновое сопротивление, чувствительность, инерционность сильно зависят от температуры. Для большинства фоторезисторов температурный диапазон составляет от -60 до +60°С.

         Конструктивное исполнение фоторезисторов может иметь разнообразные конфигурации и размеры.

         Измерительные цепи фоторезисторов строятся с использованием как постоянного, так и переменного напряжения питания. Наиболее распространенной цепью питания является мостовая цепь.

         При выборе элементов мостовой цепи  следует иметь в виду, что сопротивление фоторезистора изменяется в широких пределах  и может внести дополнительную нелинейность.

         Фотодиоды (ФД) и фототранзисторы (ФТ) относятся к группе полупроводниковых фотоприемников и содержат один и более p-n – переходов. При освещении p-n – перехода создается дополнительная концентрация носителей в переходной зоне и в областях p и n. Это приводит к усилению диффузии к p-n – переходу и в самом переходе. У диода, включенному в обратном направлении возрастает обратный ток. Наиболее распространены германиевые и кремниевые фотодиоды. Их спектральные характеристики заходят в область инфракрасного излучения (для германиевых диодов – до l=2мкм, для кремниевых - до lэф=1,2мкм).

         Фотодиоды могут работать в фотодиодном и генераторном режимах. В фотодиодном источнике питание включается в обратном направлении и ток диода зависит от освещенности. Схемы включения показаны на рис. 22.

                                                                                                                                                              

                                                            Рис.22

В генераторном режиме в ФД преобразуется энергия светового потока в электрическую энергию. При освещении p и n областей за счет переходов носителей тока (дырок и электронов) из  валентной зоны в зону проводимости растет концентрация основных и неосновных носителей тока. Неосновные носители электрическим полем объемного заряда переносятся из зон, где они неосновные, в соседнюю зону, где они основные. Концентрация их там растет и образуются некомпенсированные  заряды, которые и создают  потенциалы в пределах 0,-0,5В на холостом ходу.

         Фотоэлектрические преобразователи, используемые для измерения несветовых величин, имеют ряд особенностей. Имеется возможность измерения без контакта с объектом, отсутствует механическое воздействие на объект измерения. Преобразователи чувствительны к силе света и его цвету.

Их недостатком является большая погрешность, обусловленная усталостью, старением, влиянием температуры. Основное их применение в следующих случаях:

1.     При измерениях, в которых преобразователь работает в релейном режиме. Примером может служить измерение частоты вращения вала имеющего диск с отверстиями.

2.     В качестве преобразователя в компенсационных измерительных приборах.

3.      При измерении несветовых величин, когда промежуточной величиной является величина световая, например, при измерении концентрации вещества в растворе, когда промежуточной величиной является изменение поглощения света раствором

Получить выполненную работу или консультацию специалиста по вашему учебному проекту
Узнать стоимость
Поделись с друзьями